台湾专利TW201318961A 光學片、顯示裝置及具有其之發光裝置

专利PDF首页>>台湾专利

专利附录

专利说明

权利要求

类似技术

同族专利

引用文献

法律状态

优先权

专利摘要:
本發明揭露一種光學件及具有其之一顯示裝置。該光學件包含一光轉換層一光轉換層，其具有複數個光轉換粒子；以及一光擴散層，其包含複數個光路徑轉換粒子在該光轉換層之下方。
公开号:TW201318961A
申请号:TW101132686
申请日:2012-09-07
公开日:2013-05-16
发明作者:Sun-Hwa Lee
申请人:Lg Innotek Co Ltd；
IPC主号:G02B5-00

专利说明:
光學片、顯示裝置及具以其之發光裝置
本發明主張關於2011年11月07日所申請的南韓專利案號10--2011-0115394的優先權，並在此以引用的方式併入本文中，以作為參考。
本發明係關於一種光學片、一種顯示裝置及具有其之一種發光裝置。
近年來，平面顯示裝置，例如LCD(液晶顯示器)、PDA(電漿顯示面板)或OLED(有機發光二極體)，已被逐漸發展來取代CRT(陰極射線管)。
在平面顯示裝置中，LCD包含一液晶顯示面板，其具有一薄膜電晶體基板、一彩色濾光基板、以及一液晶注入在該薄膜電晶體基板和該彩色濾光基板之間。由於液晶顯示面板為一非發光裝置，因此需提供一背光單元於該薄膜電晶體基板之下方以提供光。從背光單元射出之光的穿透率係根據液晶的對位狀態而調整。
背光單元根據光源的位置而被分成側光式背光單元和直下式背光單元。根據側光式背光單元，光源係位於一導光板的側面。
當LCD的尺寸逐漸變大時，發展出直下式背光單元。根據直下式背光單元，至少一光源係位於該液晶顯示面板之下方以提供光在該液晶顯示面板的整個區域上。
當與側光式背光單元比較時，直下式背光單元可使用較多數量的光源，因此得以達到高亮度。相反地，直下式背光單元必須要比側光式背光單元來的厚以確保亮度均勻。
為了解決上述問題，具有複數個量子點的量子點條(quantum dot bar)其可轉換藍光為紅光或綠光係定位於發出藍光的一藍光LED的前方。因此，當藍光被照射在量子點條時，藍光、紅光和綠光藉由分佈在該量子點條中的量子點而被彼此混合，而該混合的光係被入射在該導光板，因此得以產生白光。
如果該白光藉由該量子點條來被提供到該導光板，將可實現高的色彩再現。
該背光單元可包含提供在產生藍光的藍光LED之一側的一FPCB(軟性印刷電路板)以提供訊號和電源至該LED、以及一接合元件形成在該FPCB的底表面。
能藉由藍光LED發射出的藍光，透過量子點條而提供至該導光板的白光來顯示各種影像的顯示裝置已被廣泛使用。
使用量子點的顯示裝置係揭露於韓國公開專利號碼10-2011-006810中。
實施例提供顯現高亮度及優越的色彩再現性的一光學片、一顯示裝置以及具有其之發光裝置。
根據實施例之一光學件包含一光轉換層，該光轉換層包含複數個光轉換粒子；以及一光擴散層，該光擴散層包含複數個光路徑轉換粒子在該光轉換層之下方。
根據實施例的一顯示裝置包含一光源；一光轉換件，其中光係從該光源入射至該光轉換件；以及一顯示面板，其中光係從該光轉換件入射至該顯示面板，其中該光轉換件包含一光轉換層，該光轉換層包含複數個光轉換粒子以轉換從該光源所射出之一光的波長；以及一光擴散層在以該光源之光路徑為基礎下設置在該光轉換層之前方，且包含複數個光路徑轉換粒子。
根據實施例之一顯示裝置包含一光源；一光學件，其中光係從該光源入射至該光學件；一光轉換件在該光學件上；以及一顯示面板在該光轉換件上，其中該光轉換件包含朝該光學件突起的複數個突起物。
根據實施例的光學件和顯示裝置包含設置在該光轉換層之下方的光擴散層。如此，從該光源所射出的光得以透過該光轉換層而均勻分佈。也就是說，已改善亮度均勻性的光得以入射至該光轉換層中。
因此，該光轉換層能轉換已改善亮度均勻性的光，所以光轉換效率得以改善。
此外，該光擴散層包含該些光路徑轉換粒子。此外，該光擴散層包含分別對應該些光路徑轉換粒子的該些突起物。該些突起物朝下突起。
特別是，該些突起物能直接與該光學件接觸，例如：該導光板設置在該些突起物之下。由於該些突起物，接觸區域得以均勻地形成在該光學件和該導光板之間。
因此，由於該光轉換件和該導光板之間的局部接觸所造成的亮度非均勻性得以藉由該些突起物而被防止。
如此，根據實施例的光學件和液晶顯示器(LCD)能最大化該光轉換層光的轉換效率同時改善亮度均勻性。
在實施例的詳細描述中，應被理解，當指出一基板、一框架、一片體、一層、或一圖案係在另一基板、另一框架、另一片體、另一層、或另一圖案”上”或”下方”時，另一基板、另一框架、另一片體、另一層、或另一圖案可”直接”或”間接”地在其他一基板、框架、片體、層、或圖案上，亦可出現一或多個中介層。每一元件的位置根據圖式來描述。顯示在圖式中每一元件的厚度和尺寸為方便或清楚的目的而被誇大、省略或示意性地繪示。此外，元件的尺寸並非完全反應一實際的尺寸。
圖1顯示根據實施例之一液晶顯示器的分解示意圖。圖2顯示根據實施例之一光轉換片的示意圖。圖3為沿著圖2線A-A’的剖視圖。圖4和5顯示各種形態之光轉換片的剖視圖。圖6顯示一光轉換片與一導光板接觸的剖視圖。圖7顯示根據另一實施例之光轉換片的剖視圖。
參閱圖1至圖7，根據實施例的液晶顯示器(LCD)包含一背光單元10和一液晶面板20。
背光單元10供應光至液晶面板20。背光單元10作為一表面光源，因此光得以均勻地供應至液晶面板20的下表面。
背光單元10設置在液晶面板20之下。背光單元10包含一底蓋100、一導光板200、一反射片300、複數個發光二極體400、一印刷電路板401、以及複數個光學片500。
底蓋100的上部呈開放狀。底蓋100內容置有導光板200、該些發光二極體400、印刷電路板401、反射片300、以及該些光學片500。
導光板200設置在底蓋100中且排列在反射片300上。導光板200藉由全反射(totally-reflecting)、折射(refracting)和散射(scattering)而將從該些發光二極體400入射的光引導向上。
反射片300設置導光板200之下方。更詳細而言，反射片300係設置在導光板200和底蓋100的下表面之間。當光從導光板200的下表面向下輸出時，反射片201將光朝上反射。
該些發光二極體400作為用以產生光的光源。該些發光二極體400設置在導光板200的一側邊。從該些發光二極體400產生的光係透過導光板200的該側邊而入射至導光板200中。
該些發光二極體400可包含一藍光二極體產生藍光或一紫外光(UV)二極體產生UV光。詳細而言，該些發光二極體400可發射出具有約430nm至約470nm波長帶的藍光，或具有約300nm至約400nm波長帶的UV光。
該些發光二極體400係安裝在印刷電路板401上。該些發光二極體400可設置在印刷電路板401之下方。該些發光二極體400係透過印刷電路板401接收一驅動訊號而被驅動。
印刷電路板401係與該些發光二極體400電性連接。印刷電路板401可安裝該些發光二極體400於其上。印刷電路板401係設置在底蓋100內。
該些光學片500係設置在導光板200上。該些光學片500藉由改變或增強從導光板200上表面輸出之光的光學特性來供應光至液晶面板20。
該些光學片500可包含一光轉換片501、一第一稜鏡片502、以及一第二稜鏡片503。
光轉換片501係設置在導光板200上。詳細而言，光轉換片501係設置在導光板200和一擴散板之間。光轉換片501藉由轉換該入射光的波長，而將光向上輸出。
舉例而言，如果該些發光二極體400為藍光二極體，光轉換片501轉換從導光板200向上輸出的藍光成為綠光和紅光。詳細而言，光轉換片501轉換部份的藍光成為具有波長在約520nm至約560nm之範圍的綠光，而部份的藍光成為具有波長在約630nm至約660nm之範圍的紅光。
此外，如果該些發光二極體400為UV二極體，光轉換片501轉換從導光板200向上輸出的UV光成為藍光、綠光和紅光。詳細而言，光轉換片501轉換部份的UV光成為具有波長在約430nm至約470nm之範圍的藍光、部份的UV光成為具有波長在約520nm至約560nm之範圍的綠光、以及部份的UV光成為具有波長在約630nm至約660nm之範圍的紅光。
因此，白光可藉由光穿越光轉換片501但未被光轉換片501轉換的光，以及穿越光轉換片501且被光轉換片501轉換的光而產生。詳細而言，白光可藉由藍光、綠光和紅光的結合而入射至液晶面板20。
也就是說，光轉換片501為一種光轉換件，其轉換該入射光的特性。詳細而言，光轉換片501為一種光學件，其轉換該入射光的特性。光轉換片501為一種波長轉換件，其轉換該入射光的波長。
如圖2和圖3所示，光轉換片501包含一下基板510、一上基板520、一光轉換層530以及一光擴散層540。
下基板510係設置在光轉換層530之下方。下基板510係為透明且具可撓性。下基板510可附著至光轉換層530的下表面。
舉例而言，可使用透明高分子，例如：聚乙烯對苯二甲酯(polyethyleneterephthalate，PET)作為下基板510的材料。
上基板520係設置在光轉換層530上。上基板520可為透明且具可撓性。上基板520可附著至光轉換層530的上表面。
上基板520可包含一透明高分子，例如：PET。
光轉換層530係夾設在上和下基板520、510之間。上和下基板520、510支撐光轉換層530。上和下基板520、510保護光轉換層530免受外部物理衝擊。
此外，上和下基板520、510具有低透氧性(low oxygen permeability)和低透水性(low moisture permeability)。如此，上和下基板520、510能保護光轉換層530避免藉由氧氣及/或濕氣的外部化學滲透。
光轉換層530係插設在下和上基板510、520之間。光轉換層530可附著至下基板510的上表面、及附著至上基板520的下表面。
光轉換層530包含複數個光轉換粒子531以及一第一基質層532。
該些光轉換粒子531係設置在下基板510和上基板520之間。詳細而言，該些光轉換粒子531係均勻地分佈在第一基質層532中，而第一基質層532係設置在下基板510和上基板520之間。
光轉換粒子531轉換從該些發光二極體400射出之光的波長。詳細而言，該些光轉換粒子531接收從該些發光二極體400射出的光以轉換該入射光的波長。舉例而言，該些光轉換粒子531可轉換從該些發光二極體400射出的藍光成為綠光和紅光。也就是說，部份的光轉換粒子531可轉換藍光成為具有波長在約520nm至約560nm之範圍的綠光以及部份的光轉換粒子531可轉換藍光成為具有波長在約630nm至約660nm之範圍的紅光。
此外，光轉換粒子531可從該些發光二極體400射出之UV光轉換為藍光、綠光和紅光。也就是說，部份的光轉換粒子531可轉換UV光成為具有波長在約430nm至約470nm之範圍的藍光、部份的光轉換粒子531可轉換UV光成為具有波長在約520nm至約560nm之範圍的綠光、以及部份的光轉換粒子531可轉換UV光成為具有波長在約630nm至約660nm之範圍的紅光。
也就是說，如果該些發光二極體為發出藍光的藍光二極體，可採用能夠轉換藍光成為綠光和紅光的光轉換粒子531。此外，如果該些發光二極體為發出UV光的UV光發光二極體，可採用能夠轉換UV光成為藍光、綠光和紅光的光轉換粒子531。
該些光轉換粒子531可製備成量子點(QD)的形式。該些量子點可包含核心奈米晶體(core nano-crystals)和圍繞著核心奈米晶體的殼體奈米晶體(shell nano-crystals)。此外，該些量子點可包含有機配位體(organic ligands)結合至殼體奈米晶體。再者，該些量子點可包含一有機塗覆層圍繞著該殼體奈米晶體。
該些殼體奈米晶體可被製備為至少兩層的形式。該些殼體奈米晶體係形成在該些核心奈米晶體的表面。該些量子點藉由該些殼體奈米晶體形成一殼體層而延長入射到該些核心奈米晶體之光的波長，藉以改善光效率。
該些量子點可包含II族化合物半導體、III族化合物半導體、V族化合物半導體、VI族化合物半導體中的至少一者。更詳細而言，該些殼體奈米晶體可包括硒化鎘(CdSe)、磷化銦鎵(InGaP)、碲化鎘(CdTe)、硫化鎘(CdS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、硫化鋅(ZnS)、碲化汞(HgTe)或硫化汞(HgS)。此外，該些殼體奈米晶體可包括銅鋅硫(CuZnS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、硫化鎘(CdS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、硫化鋅(ZnS)、碲化汞(HgTe)或硫化汞(HgS)。量子點可具有約1nm至10nm的粒徑。
從該些量子點發出之光的波長可根據量子點的大小而被調整。有機配位體可包含吡啶(pyridine)、疏基甲醇(mercapto alcohol)、硫基(thiol)、膦(phosphine)、膦氧化物(phosphine oxide)。該有機配位體可穩定在合成程序後不穩定的量子點。懸空鍵(dangling bond)可形成在價能帶，而量子點可能因該懸空鍵而不穩定。然而，由於有機配位體的一端部為非鍵結狀態，該有機配位體的一端部係與該懸空鍵結合，藉以穩定量子點。
特別是，如果量子點的尺寸小於一激子(exciton)的波耳半徑(Bohr radius)時(該激子由光和電所激發之電子和電洞所組成)，將可能出現量子侷限效應，因此量子點可具有個別能階。因此，能帶間隙的大小係被改變。此外，電荷係被限制在量子點中，因此發光效率得以改善。
不同於一般螢光顏料，量子點的螢光波長可依據粒子的大小而改變。詳細而言，當該粒子的尺寸縮減時，該光具有較短的波長。因此，可藉由調整粒子的大小而產生具有可見光之波長頻帶的螢光。此外，量子點呈現出的吸光係數(extinction coefficient)高於一般螢光顏料吸光係數的100至1000倍，且相較於一般螢光顏料，其具有優良的量子產率。因此，得以產生強烈的螢光。
該些量子點能透過化學品濕法(chemical wet scheme)而合成。該化學品濕法係藉由浸漬先驅物在有機溶濟中來成長顆粒。根據化學品濕法，得以合成該些量子點。
第一基質層532圍繞該些光轉換粒子531。也就是說，該些光轉換粒子531係均勻地分佈在第一基質層532中。第一基質層532可包含高分子。第一基質層532係為透明。也就是說，第一基質層532可包含透明高分子。
第一基質層532係設置在下基板510和上基板520之間。第一基質層532可附著至下基板510的上表面、及附著至上基板520的下表面。
光擴散層540係設置在下基板510之下方。光擴散層540係設置在下基板510的下表面上。更詳細而言，光擴散層540可附著至下基板510的下表面。光擴散層540可塗佈在下基板510的整個表面上。
光擴散層540可轉換該入射光的路線(route)。詳細而言，光擴散層540能隨意地轉換該入射光的路線。如此，光擴散層540能改善該入射光的亮度均勻性。光擴散層540均勻輸出自導光板200入射至光擴散層540的光。
此外，光擴散層540可作為一保護層。也就是說，光擴散層540和下基板510一樣可保護光轉換層530免於氧氣/濕氣的滲透。
光擴散層540可具有一厚度在約5 μm至約100 μm的範圍。光擴散層540包含一第二基質層541以及該些光路徑轉換粒子542。
第二基質層541圍繞該些光路徑轉換粒子542。第二基質層541可均勻地分佈該些光路徑轉換粒子542。
第二基質層541係設置在下基板510的下表面上。第二基質層541係塗佈在下基板510的下表面上。詳細而言，第二基質層541附著至下基板510的整個下表面。
第二基質層541係為透明。第二基質層541具有一厚度T1在約5 μm至約100 μm的範圍。第二基質層541包含透明高分子。詳細而言，第二基質層541可包含環氧樹脂或矽氧樹脂。也就是說，第二基質層541係為由樹脂所組成的一樹脂層。
該些光路徑轉換粒子542係設置在第二基質層541中。該些光路徑轉換粒子542係均勻地分佈在第二基質層541中。該些光路徑轉換粒子542可被設置在下基板510的整個下表面上。
該些光路徑轉換粒子542可為透明。該些光路徑轉換粒子542可具有不同於第二基質層541的折射係數。舉例而言，該些光路徑轉換粒子542可具有高於第二基質層541的折射係數。詳細而言，第二基質層541具有約1.2至約1.6的折射係數，而該些光路徑轉換粒子542具有約1.3至約2.1的折射係數。該些光路徑轉換粒子542和第二基質層541之間之折射係數的差異係在約0.05至約0.8的範圍。
該些光路徑轉換粒子542可包含氧化矽、氧化鋁、氧化鉭、聚甲基丙烯酸酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚甲基丙烯酸正丁酯(polybutylmethacrylate，PBMA)、二氧化矽、水鋁土(boehmite)、聚苯乙烯或氧化鈦。
該些光路徑轉換粒子542可具有球形、多邊形或柱形。詳細而言，該些光路徑轉換粒子542可製備成珠粒的形式。
光路徑轉換粒子542的粒徑R可小於第二基質層541的厚度T1。舉例而言，第二基質層541的厚度T1係大於光路徑轉換粒子542之粒徑R的1.1倍。詳細而言，第二基質層541的厚度T1係大於光路徑轉換粒子542之粒徑R的1.1至20倍。
參閱圖4，光路徑轉換粒子542的粒徑可相似於第二基質層541的厚度T2。光路徑轉換粒子542的粒徑R可對應第二基質層541的厚度T2。光路徑轉換粒子542的粒徑R可實質上與第二基質層541的厚度T2相同。舉例而言，第二基質層541的厚度T2係大於光路徑轉換粒子542的粒徑R約0.9至1.1倍。
因此，該些細微突起物543可形成在第二基質層541中對應該些光路徑轉換粒子542。第二基質層541的厚度可根據形成第二基質層541的樹脂合成物的比率來決定。此外，第二基質層541的厚度T2可根據該樹脂合成物的黏度而改變。
第二基質層541的厚度T2可在約5 μm至約7 μm的範圍內。此外，光路徑轉換粒子542的粒徑R可在約5 μm至約7 μm的範圍內。
參閱圖5，光路徑轉換粒子542的粒徑R可大於第二基質層541的厚度T3。也就是說，第二基質層541的厚度可顯著地小於光路徑轉換粒子542的粒徑R。舉例而言，第二基質層541的厚度T3可小於光路徑轉換粒子542 9/10的粒徑R。詳細而言，第二基質層541的厚度T3可在光路徑轉換粒子542之粒徑R約6/10至約8/10的範圍內。
因此，該些突起物543係形成在第二基質層541中對應該些光路徑轉換粒子542。第二基質層541的厚度T3可根據形成該些光路徑轉換粒子542和該第二基質層541的樹脂合成物的比率來決定。此外，第二基質層541的厚度T3該可根據該樹脂合成物的黏度而改變。
舉例而言，第二基質層541可具有約5 μm或更少的厚度T3。詳細而言，第二基質層541可具有約1.5 μm至約4 μm的厚度T3。
如圖6所示，該些突起物543可直接與導光板200的上表面接觸。光轉換片501的下表面可藉由該些突起物543而均勻地與導光板200的上表面接觸。此外，介於光轉換片501和導光板200之間的接觸區域可藉由該些突起物543而減少。特別是，該些突起物543能避免光轉換片501與導光板200部份的接觸。
如此，根據實施例的光轉換片501和LCD可具有改善的亮度均勻性。
參閱圖7，下基板510可被省略。也就是說，光擴散層540能直接與光轉換層530接觸。詳細而言，第二基質層541能直接與光擴散層540接觸。更詳細而言，第一基質層532能直接與第二基質層541接觸。
也就是說，光擴散層540得以改善亮度均勻性，同時密封光轉換層530。此外，由於下基板510被省略，光轉換片501可具有薄的厚度。
第一稜鏡片502係提供在擴散片502上。第二稜鏡片503係提供在第一稜鏡片502上。第一稜鏡片502和第二稜鏡片503可改善光穿越於其中的線性度。
液晶面板20係設置在該些光學片500上。此外，液晶面板20係設置在一導板(panel guide)上。液晶面板20系藉由該導板引導。
液晶面板20藉由調整穿越液晶面板20之光的強度顯示影像。詳細而言液晶面板20係為一顯示面板，其藉由使用從背光單元10所射出的光來顯示影像。液晶面板20包含一TFT基板21、一彩色濾光基板22以及一液晶層插設在該兩基板中。此外，液晶面板20包含複數個偏光濾光片。
在後文中，將詳細描述TFT基板21和彩色濾光基板22雖然其並未詳細地顯示於圖式中。TFT基板21包含複數條閘極線和跨越該些閘極線的複數條資料線以定義畫素(pixels)、以及一薄膜電晶體(TFT)係提供在每一交叉處(intersection)以使該薄膜電晶體TFT得以以一對一的對應方式連接至該畫素的一畫素電極。彩色濾光基板22包含對應該些畫素之具有R、G、B顏色的彩色濾波器(color filters)、一黑矩陣複蓋該些閘極線、資料線和薄膜電晶體於該些彩色濾波器的界限內、以及一共同電極複蓋上述元件。
一驅動PCB 25係提供在液晶面板20的一外周邊部以提供驅動訊號至該些閘極線和資料線。
驅動PCB 25係藉由一晶粒軟模封裝(chip on film，COF)24而與液晶面板20電性連接。COF 24可以捲帶承載封裝(tape carrier package，TCP)來取代。
如上所述，根據實施例的LCD包含設置在光轉換層530之下方的光擴散層540。如此，從發光二極體400所射出的光得以透過光轉換層530而均勻地分佈。也就是說，入射至光轉換層530的光可具有改善的亮度均勻性。
因此，光轉換層530能轉換具有改善亮度均勻性的光，所以光轉換效率得以改善。也就是說，從導光板200輸出的光不會局部地集中在光轉換層530上，而是均勻地入射至光轉換層530中。如此，光轉換層530的光轉換功能得以最大化。
由於光轉換層520能改善光的亮度均勻性，根據實施例的LCD並不需要額外的擴散片。如此，根據實施例的LCD可具有細薄的結構。
此外，光擴散層540包含該些光路徑轉換粒子542。再者，光擴散層540包含對應該些光路徑轉換粒子542的突起物543。該些突起物543可向下突起。
特別是，該些突起物543能直接與設置在導光板200之下的該些突起物543接觸。由於該些突起物543，得以在光轉換片501和導光板200之間形成均勻的接觸區域。
因此，可藉由該些突起物543來防止由於光轉換片510和導光板200之間的局部接觸所造成的亮度不均。
如此，根據實施例的LCD能最大化光轉換層530的光轉換效率，同時改善亮度均勻性。
在後文中，根據實施例的發光裝置將參照圖8至11進行詳細說明。
圖8顯示根據實施例之一發光裝置封裝件800的示意圖，圖9為沿著圖8線C-C’的剖視圖，圖10顯示根據第一實施例之一發光二極體晶片的剖視圖，而圖11顯示根據第二實施例之一發光二極體晶片的剖視圖。在有關根據實施例之發光裝置封裝件的說明中，有關光轉換片之前的描述將併入本文用作參考。也就是說，先前有關光轉換片的描述除了修改的部份外，其它將基本上併入本文用作參考。
參閱圖8至圖11，根據實施例的發光裝置封裝件800包含一殼體810、複數個引線電極821、822、一發光部830、一填充部840、複數個光轉換粒子850、以及複數個光路徑轉換粒子884。
殼體810容置發光部830、填充部840、以及該些光轉換粒子850於其中且支撐引線電極821、822。
殼體810可藉由使用一樹脂材料，例如PPA、一陶瓷材料、液晶高分子(LCP)、對排聚合物(syndiotactic，SPS)、聚苯醚(poly phenylene ether，PPS)、以及一矽材料中的一者所形成，但實施例並非限定於此。殼體810能透過注入成型(injection molding)而一體成型或能藉由層疊複數個層而形成。
殼體810包含一孔洞C具有一開放上部。孔洞C能藉由圖案化、打孔(punching)、切割(cutting)或蝕刻殼體810而形成。此外，當形成殼體810時，孔洞C能藉由具有與孔洞C相同結構的一金屬鑄模來形成。
孔洞C可具有一杯形或一凹槽形(concave vessel shape)。此外，孔洞C可具有圓形、多邊形或任意形狀的表面，但實施例並非限定於此。
在考慮到發光裝置封裝件的光分佈角度下，孔洞C的內壁可為垂直或對孔洞C的下表面傾斜。
殼體810可包含一基部811和一容置部812。
基部811支撐容置部812。此外，基部811支撐引線電極821、822。舉例而言，基部811可具有一平行六面體形(rectangular parallelepiped shape)。
容置部812係設置在基部811。孔洞C係藉由容置部812所界定。也就是說，孔洞C係為一凹槽形成在容置部812中。容置部812圍繞孔洞C。當俯視時，容置部812可具有一封閉環狀(closed loop shape)。舉例而言，容置部812可具有圍繞孔洞C的壁面。
容置部812包含一上表面、一外表面以及一內表面。該內表面係為一傾斜表面，其相對於上表面呈傾斜。
引線電極821、822得以以一引線架(lead frame)來實現，但實施例並非限定於此。
引線電極821、822係設置在殼體810中且安裝在孔洞C的下表面上同時彼此電性隔離。引線電極821、822的外部係暴露於殼體810外。
引線電極821、822的端部係位於孔洞C的一側邊或另一側邊。
引線電極821、822能製作成引線架的形式，其能在當殼體810射出成形時同時形成。舉例而言，引線電極821、822包含一第一引線電極821和一第二引線電極822。
第一引線電極821係與第二引線電極822間隔開。此外，第一引線電極821和第二引線電極822係與發光部830電性連接。
發光部830包含至少一發光二極體晶片。舉例而言，發光部830可包含一藍光二極體晶片或一UV光二極體晶片。
發光部830可為一側邊型發光二極體晶片或一垂直型發光二極體晶片。如圖11所示，發光部830可包含一導電基板831、一光反射層832、一第一導電半導體層833、一第二導電半導體層834、一主動層835以及一第二電極836。
導電基板831由一導體所組成。導電基板831支撐光反射層832、第一導電半導體層833、第二導電半導體層834、主動層835以及第二電極836。
導電基板831係透過光反射層832而與第一導電半導體層833連接。也就是說，導電基板831作為一第一電極以供應一電氣訊號至第一導電半導體層833。
光反射層832係設置在導電基板831上。光反射層832將從主動層835所射出的光向上反射。此外，光反射層832係為一導電層。如此，光反射層832連接導電基板831與第一導電半導體層833。光反射層832可藉由使用一金屬來形成，例如：銀(Ag)或鋁(Al)。
第一導電半導體層833係形成在光反射層832上。第一導電半導體層833具有一第一導電型。第一導電半導體層833係為一N型半導體層。舉例而言，第一導電半導體層833係為一N型氮化鎵(GaN)層。
第二導電半導體層834係形成在第一導電半導體層833之上。第二導電半導體層834係為一P型半導體層面對第一導電半導體層833。舉例而言，第二導電半導體層834係為一P型氮化鎵層。
主動層835係插設在第一導電半導體層833和第二導電半導體層834之間。主動層835可具有單量子井結構或多重量子井結構。主動層835可具有週期性的InGaN井層和AlGaN屏障層的循環排列或一InGaN井層和一GaN屏障層的循環排列。用於主動層835的發光材料可可根據發光波長而改變，例如：藍光波長、紅光波長、或綠光波長。
第二電極836係形成在第二導電半導體層834上。第二電極836係與第二導電半導體層834連接。
同時，發光部830可為一側光型LED。可需要一額外的引線來將該側光型LED與第一引線電極821連接。
發光部830係透過一凸塊而與第一引線電極821連接，另透過一引線而與第二引線電極822連接。特別地，發光部830得以直接形成在第一引線電極821上。
除了上述，發光部830得以透過引線接合(wire bonding)、晶片結合(die bonding)或覆晶接合(flip bonding)法來與第一和第二引線電極821、822連接，但實施例並非限定於此。
填充部840係形成在孔洞C中。填充部840係為透明。填充部840可包含例如：矽或環氧樹脂的一材料，或具有折射係數為2或更少的一材料。填充部840覆蓋發光部830。填充部840可直接與發光部830接觸。
一反射層能形成在孔洞C的內壁。該反射層可包含具有高反射特性的材料，例如：白色光防焊(photo solder resist)油墨、銀(Ag)或鋁(Al)。
如圖9和10所示，光轉換件880係以片狀(sheet)形式形成在填充部840的表面上，也就是說，以層狀的結構。詳細而言，包含基質881該些光轉換粒子882的該溶液(solution)係以為尚未移除溶濟(solvent)的狀態下塗佈在填充部840上，然後蒸發該溶濟。如此，將光轉換件880形成如同該層狀結構。
光轉換件880係大致上與如上所述之光轉換片相同。也就是說，光轉換件880包含一光轉換層，該光轉換層包含複數個光轉換粒子以轉換從光源所射出之光的波長；以及一光擴散層在以該光源之光路徑為基礎下設置在該光轉換層之前方，且包含複數個光路徑轉換粒子。光轉換件880可包含複數個突起物朝該光學件突起。
也就是說，該光轉換件包含一光轉換層，該光轉換層具有一第一基質881和分佈在該第一基質881中的複數個光轉換粒子882、一第二基質883和分佈在該第二基質中883的複數個光路徑轉換粒子884。
根據前述實施例之光轉換件得以應用在根據本實施例之發光裝置的光轉換件880，所以其描述將與以省略。
該些光轉換粒子882可轉換從發光部830所射出的藍光成為綠光。詳細而言，該些光轉換粒子882可轉換從發光部830所射出的藍光成為具有波長帶在約500nm至約599nm範圍的光。
此外，該些光轉換粒子882可轉換從發光部830所射出的藍光成為紅光。詳細而言，該些光轉換粒子882可轉換從發光部830所射出的藍光成為具有波長帶在約600nm至約700nm範圍的光。
再者，當發光部830發射出UV光時，該些光轉換粒子882可轉換所射出之UV光成為藍光。
也就是說，該些光轉換粒子882接收從發光部830所射出的光並轉換該光的波長。如上所述，該些光轉換粒子882能轉換入射的藍光成為綠光和紅光。
此外，該些光轉換粒子882能轉換從發光部830所射出的UV成為藍光、綠光以及紅光。
如此，白光能藉由該些光轉換粒子882轉換的以及未被該些光轉換粒子882轉換的光而產生。也就是說，白光得以透過結合藍光、綠光和紅光後而射出。
在後文中，根據實施例的發光裝置將參照圖12進行描述。
圖12顯示根據實施例之發光裝置的示意圖。參照圖12，發光裝置900包含有一殼體910、一發光模組930安裝於殼體910中、以及一連接終端920安裝於殼體910中以接收一外部電源。
較佳地，殼體910包含具有良好散熱特性之材料。舉例而言，殼體910可包含一金屬材料或一樹脂材料。
發光模組930可包含一基板932和根據實施例之複數個發光裝置封裝件931，該些發光裝置封裝件931係安裝在基板932上。該些發光裝置封裝件931係彼此分離或以陣列方式排列。該些發光裝置封裝件931能基本上與圖8至圖11所描述之發光裝置結合。
該發光裝置封裝件可包含一光轉換件，該光轉換件包含一光轉換層具有複數個光轉換粒子以轉換從光源所射出之光的波長；以及一光擴散層在以該光源之光路徑為基礎下設置在該光轉換層之前方，且包含複數個光路徑轉換粒子。此外，該發光裝置封裝件可包含具有複數個突起物的一光學件。
也就是說，該光轉換件包含一光轉換層具有一第一基質881和分佈在該第一基質881中的複數個光轉換粒子882、一第二基質883和分佈在第二基質883中的複數個光路徑轉換粒子884。
基板932包含印製有線路圖案的一絕緣件。舉例而言，基板932包含一PCB(印刷電路板)、一MC(金屬核心)PCB、一FPCB(可撓式PCB)、一陶瓷PCB、一FR-4基板。
此外，基板932可包含有效反射光的材料。一塗佈層可形成在基板932的表面上。此時，該塗佈層為白色或銀色以有效地反射光。
至少一發光裝置封裝件931安裝在基板932上。每一發光裝置封裝件931可包含至少一LED(發光二極體)晶片。該LED晶片可包含可一射出具有紅、綠、藍或白色之可見光帶光的LED以及一射出UV(紫外)光的LED。
發光模組930的該些發光裝置封裝件931能有不同的結合以提供不同顏色和亮度。舉例而言，白光LED、紅光LED和綠光LED能結合以達成高現色性指數(CRI)。
連接終端920可與發光模組9300電性連接，以提供電力給發光模組930。連接終端920係具有牙槽(socket)的形狀以螺接至一外部電源之方式連接該外接電源，但實施例並非限定於此。舉例而言，連接終端920可為一插銷形狀(pin shape)插入該外部電源內或利用一導線連接至該外部電源。
也就是說，可如上所述之光學件和發光裝置於發光裝置中。
在本說明書中所提到的“一實施例”、“實施例”、“範例實施例”等任何的引用，代表本發明之至少一實施例中包括關於該實施例的一特定特徵、結構或特性。此類用語出現在文中多處但不盡然要參考相同的實施例。此外，在特定特徵、結構或特性的描述關係到任何實施例中，皆認為在熟習此技藝者之知識範圍內其利用如此的其他特徵、結構或特徵來實現其它實施例。
雖然數個實施例被用來解釋本發明，但應理解，熟習此項技藝者可想出落入本發明之精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明說明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改係為可能的。對於熟悉此項技術者而言，除了零部件及/或配置之變化及修改外，替代用途亦將顯而易見。
10‧‧‧背光單元
20‧‧‧液晶面板
21‧‧‧TFT基板
22‧‧‧彩色濾光基板
24‧‧‧晶粒軟模封裝
25‧‧‧PCB
100‧‧‧底蓋
200‧‧‧導光板
300‧‧‧反射片
400‧‧‧發光二極體
401‧‧‧印刷電路板
500‧‧‧光學片
501‧‧‧光轉換片
502‧‧‧第一稜鏡片
503‧‧‧第二稜鏡片
510‧‧‧下基板
520‧‧‧基板
530‧‧‧光轉換層
531‧‧‧光轉換粒子
532‧‧‧第一基質層
540‧‧‧光擴散層
541‧‧‧第二基質層
542‧‧‧光路徑轉換粒子
543‧‧‧突起物
800‧‧‧發光裝置封裝件
810‧‧‧殼體
811‧‧‧基部
812‧‧‧容置部
821、822‧‧‧引線電極
830‧‧‧發光部
832‧‧‧光反射層
833‧‧‧第一導電半導體層
834‧‧‧第二導電半導體層
835‧‧‧主動層
836‧‧‧第二電極
840‧‧‧填充部
880‧‧‧光轉換件
861‧‧‧基質
882‧‧‧光轉換粒子
883‧‧‧第二基質
884‧‧‧光路徑轉換粒子
900‧‧‧發光裝置
910‧‧‧殼體
920‧‧‧連接終端
930‧‧‧發光模組
931‧‧‧發光裝置封裝件
932‧‧‧基板
T1、T2、T3‧‧‧厚度
R‧‧‧粒徑
圖1顯示根據實施例之一液晶顯示器的分解示意圖；圖2顯示根據實施例之一光轉換片的示意圖；圖3為沿著圖2線A-A’的剖視圖；圖4和5顯示各種形態之光轉換片的剖視圖；圖6顯示一光轉換片與一導光板接觸的剖視圖；圖7顯示根據另一實施例之光轉換片的剖視圖；圖8顯示根據實施例之一發光裝置封裝件的示意圖；圖9為沿著圖8線C-C’的剖視圖；圖10顯示根據第一實施例之一發光二極體晶片的剖視圖；圖11顯示根據第二實施例之一發光二極體晶片的剖視圖；以及圖12顯示根據實施例之一發光裝置的示意圖。
510‧‧‧下基板
520‧‧‧基板
530‧‧‧光轉換層
531‧‧‧光轉換粒子
532‧‧‧第一基質層
540‧‧‧光擴散層
541‧‧‧第二基質層
542‧‧‧光路徑轉換粒子
T1‧‧‧厚度
R‧‧‧粒徑

权利要求:
Claims (20)
[1] 一種光學件包含：一光轉換層包含複數個光轉換粒子；以及一光擴散層包含複數個光路徑轉換粒子在該光轉換層之下方。
[2] 如申請專利範圍第1項所述之光學件，其中該光轉換層包含圍繞該些光轉換粒子的一第一基質層，而該光擴散層包含圍繞該些光路徑轉換粒子的一第二基質層。
[3] 如申請專利範圍第2項所述之光學件，其中該些光路徑轉換粒子具有小於該第二基質層之厚度的粒徑。
[4] 如申請專利範圍第2項所述之光學件，其中該些光路徑轉換粒子具有大於該第二基質層之厚度的粒徑。
[5] 如申請專利範圍第1項所述之光學件，其中該光擴散層係提供有分別對應該些光路徑轉換粒子的複數個突起物。
[6] 如申請專利範圍第2項所述之光學件，其中該些光路徑轉換粒子具有大於該第二基質層之厚度0.9至1.1倍的粒徑。
[7] 如申請專利範圍第1項所述之光學件，其中該光轉換層直接與該光擴散層接觸。
[8] 一種顯示裝置包含：一光源；一光轉換件，其中光係從該光源入射至該光轉換件；以及一顯示面板，其中光係從該光轉換件入射至該顯示面板，其中該光轉換件包含：一光轉換層包含複數個光轉換粒子以轉換從該光源所射出之光的波長；以及一光擴散層在以該光源之光路徑為基礎下設置在該光轉換層之前方，且包含複數個光路徑轉換粒子。
[9] 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中該些光路徑轉換粒子具有約5 μm至約7 μm之範圍的粒徑。
[10] 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中該光轉換層包含圍繞該些光轉換粒子的一第一基質層，而該光擴散層包含圍繞該些光路徑轉換粒子的一第二基質層。
[11] 如申請專利範圍第10項所述顯示裝置，其中該些光路徑轉換粒子包含氧化矽、氧化鋁、氧化鉭、聚甲基丙烯酸酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚甲基丙烯酸正丁酯(polybutylmethacrylate，PBMA)、二氧化矽、水鋁土(boehmite)、聚苯乙烯或氧化鈦。
[12] 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置，其中該第二基質層和該光路徑轉換粒子之間之折射係數的差異係在約0.05至約0.8的範圍。
[13] 一種顯示裝置包含：一光源；一光學件，其中光係從該光源入射至該光轉換件；一光轉換件在該光學件上；以及一顯示面板在該光轉換件上，其中該光轉換件包含朝該光學件突起的複數個突起物。
[14] 如申請專利範圍第13項所述之顯示裝置，其中該光轉換件包含分別對應該些突起物的複數個珠粒。
[15] 如申請專利範圍第13項所述之顯示裝置，其中該光學件引導來自該光源的光至該光轉換件，且該些突起物直接與該光學件的上表面接觸。
[16] 如申請專利範圍第14項所述之顯示裝置，其中該光轉換件包含一光轉換層設置在該些珠粒上。
[17] 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中該光轉換件包含圍繞該些珠粒的一透明樹脂層，而該些珠粒具有高於該樹脂層的一折射係數。
[18] 如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置，其中該些珠粒具有在約1.3至約2.1範圍的折射係數，而該樹脂層具有在約1.2至約1.6範圍的折射係數。
[19] 一種發光裝置包含：一發光部；一光學件設置在從該發光部所射出之光的路徑上；以及一光轉換件包含一光轉換層，該光轉換層包含複數個光轉換粒子以轉換從該發光部所射出之光的波長，而一光擴散層在以該光源之光路徑為基礎下設置在該光轉換層之前方，且包含複數個光路徑轉換粒子。
[20] 一種發光裝置包含：一發光部；一光學件設置在從該發光部所射出之光的路徑上；以及一光轉換件包含朝該光學件突起的複數個突起物。

类似技术:

公开号 | 公开日 | 专利标题

TWI612011B|2018-01-21|光學片、顯示裝置及具有其之發光裝置

US9778409B2|2017-10-03|Optical member, display device, and light emitting device having the same

US10084118B2|2018-09-25|Semiconductor light-emitting device

KR101713148B1|2017-03-07|액정표시장치

TWI634677B|2018-09-01|發光元件封裝

TWI504979B|2015-10-21|光學構件、顯示裝置及具有其之發光裝置

TW201307954A|2013-02-16|光學構件及包含其之顯示裝置與光學構件之製造方法

US8842255B2|2014-09-23|Light source module and lighting apparatus having the same

KR20110108147A|2011-10-05|발광소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛

TW201305685A|2013-02-01|光學構件及具有其之顯示裝置

KR101862873B1|2018-07-05|광학 부재, 발광장치 및 표시장치

KR101956079B1|2019-03-13|발광 장치 및 표시 장치

KR101934419B1|2019-01-03|광 변환 복합체, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 및 이의 제조방법

KR101326892B1|2013-11-11|광학 부재, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 및 이의 제조방법

KR101294545B1|2013-08-07|광 변환 복합체, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 및 이의 제조방법

KR101870445B1|2018-06-22|광 변환 복합체, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 및 이의 제조방법

KR101877485B1|2018-07-13|광 변환 부재, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치

KR20130010382A|2013-01-28|광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법

KR101327027B1|2013-11-13|광 변환 복합체, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 및 이의 제조방법

KR20130116973A|2013-10-25|발광소자 패키지

同族专利:

公开号 | 公开日

EP2776875B1|2018-10-17|

CN104040382B|2016-12-14|

EP2776875A1|2014-09-17|

KR101251815B1|2013-04-09|

TW201625479A|2016-07-16|

CN107024797A|2017-08-08|

US20150036379A1|2015-02-05|

CN104040382A|2014-09-10|

TWI612011B|2018-01-21|

WO2013069878A1|2013-05-16|

EP2776875A4|2015-10-14|

US10247871B2|2019-04-02|

CN107024797B|2021-02-23|

引用文献:

公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

US9541699B2|2014-05-13|2017-01-10|Young Lighting Technology Inc.|Backlight module with light conversion layer|JP3931355B2|1995-09-06|2007-06-13|日亜化学工業株式会社|面状光源|

TW383508B|1996-07-29|2000-03-01|Nichia Kagaku Kogyo Kk|Light emitting device and display|

US6608332B2|1996-07-29|2003-08-19|Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha|Light emitting device and display|

US20050146258A1|1999-06-02|2005-07-07|Shimon Weiss|Electronic displays using optically pumped luminescent semiconductor nanocrystals|

JP4573946B2|2000-05-16|2010-11-04|株式会社きもと|光拡散性シート|

CN100487304C|2000-09-25|2009-05-13|三菱丽阳株式会社|一种光源装置|

US6723478B2|2000-12-08|2004-04-20|Hitachi, Ltd.|Color filter and liquid crystal display provided therewith|

US6697130B2|2001-01-16|2004-02-24|Visteon Global Technologies, Inc.|Flexible led backlighting circuit|

US6930737B2|2001-01-16|2005-08-16|Visteon Global Technologies, Inc.|LED backlighting system|

US20030066998A1|2001-08-02|2003-04-10|Lee Howard Wing Hoon|Quantum dots of Group IV semiconductor materials|

US6806642B2|2001-09-04|2004-10-19|Durel Corporation|Light source with cascading dyes and BEF|

JP2003255562A|2002-03-04|2003-09-10|Sharp Corp|パターン形成方法及びその方法を用いた表示装置|

JP4072632B2|2002-11-29|2008-04-09|豊田合成株式会社|発光装置及び発光方法|

JP4085379B2|2003-03-28|2008-05-14|ミネベア株式会社|面状照明装置|

JP2004315661A|2003-04-16|2004-11-11|Mitsubishi Chemicals Corp|半導体超微粒子及び電界発光素子|

US7040774B2|2003-05-23|2006-05-09|Goldeneye, Inc.|Illumination systems utilizing multiple wavelength light recycling|

JP2005128140A|2003-10-22|2005-05-19|Dainippon Ink & Chem Inc|光学シート及びこれを用いたバックライトユニット|

JP4339672B2|2003-11-28|2009-10-07|大日本印刷株式会社|光拡散シート|

US7517728B2|2004-03-31|2009-04-14|Cree, Inc.|Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element|

DE102005030128B4|2004-06-28|2011-02-03|Kyocera Corp.|Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung|

US7255469B2|2004-06-30|2007-08-14|3M Innovative Properties Company|Phosphor based illumination system having a light guide and an interference reflector|

JP2006054088A|2004-08-11|2006-02-23|Alps Electric Co Ltd|面発光装置及び液晶表示装置|

KR20060030350A|2004-10-05|2006-04-10|삼성전자주식회사|백색광 발생 유닛, 이를 갖는 백라이트 어셈블리 및 이를갖는 액정표시장치|

CN1758114A|2004-10-09|2006-04-12|台达电子工业股份有限公司|背光模块|

DE102005051628B4|2004-10-29|2010-09-30|Lg Display Co., Ltd.|Hintergrundbeleuchtungseinheit und Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung|

US7481562B2|2004-11-18|2009-01-27|Avago Technologies Ecbu Ip Pte. Ltd.|Device and method for providing illuminating light using quantum dots|

KR100735148B1|2004-11-22|2007-07-03|케이디티|백라이트 장치용 광 여기 확산시트, 이를 이용한액정표시용 백라이트 장치|

KR100637201B1|2004-12-20|2006-10-23|삼성에스디아이 주식회사|유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법|

US7316497B2|2005-03-29|2008-01-08|3M Innovative Properties Company|Fluorescent volume light source|

KR100681521B1|2005-04-06|2007-02-09|케이디티|백라이트 유니트|

KR101129434B1|2005-04-26|2012-03-27|삼성전자주식회사|표시 장치|

EP1881741A1|2005-05-12|2008-01-23|Idemitsu Kosan Co., Ltd.|Color converting material composition and color converting medium including same|

KR101082898B1|2005-05-25|2011-11-11|삼성전자주식회사|백라이트 어셈블리 및 이를 갖는 액정표시장치|

US7632000B2|2005-05-25|2009-12-15|Samsung Electronics Co., Ltd.|Backlight assembly and liquid crystal display device having the same|

JP4469307B2|2005-05-31|2010-05-26|セイコーインスツル株式会社|表示装置|

US20060268537A1|2005-05-31|2006-11-30|Makoto Kurihara|Phosphor film, lighting device using the same, and display device|

KR20060129835A|2005-06-13|2006-12-18|삼성전자주식회사|백라이트 어셈블리 및 이를 갖는 액정표시장치|

CN1881034A|2005-06-15|2006-12-20|精工电子有限公司|彩色显示单元|

DE102005061828B4|2005-06-23|2017-05-24|Osram Opto Semiconductors Gmbh|Wellenlängenkonvertierendes Konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung|

JP4579065B2|2005-06-23|2010-11-10|セイコーインスツル株式会社|照明装置、及びこれを備える表示装置|

KR20070002210A|2005-06-30|2007-01-05|삼성전자주식회사|평판 형광 램프와 이를 포함하는 표시장치|

US7639318B2|2005-07-08|2009-12-29|Kabushiki Kaisha Toshiba|Backlight and liquid crystal display using same|

KR100665219B1|2005-07-14|2007-01-09|삼성전기주식회사|파장변환형 발광다이오드 패키지|

JP4771837B2|2005-11-28|2011-09-14|京セラ株式会社|波長変換器および発光装置|

CN101375420B|2006-01-24|2010-11-10|皇家飞利浦电子股份有限公司|发光器件|

KR20070079204A|2006-02-01|2007-08-06|삼성전자주식회사|광학판의 제조방법, 이에 의한 광학판 및 광학판을포함하는 액정표시장치|

KR100867519B1|2006-02-02|2008-11-07|삼성전기주식회사|발광 다이오드 모듈|

WO2007103310A2|2006-03-07|2007-09-13|Qd Vision, Inc.|An article including semiconductor nanocrystals|

JP4931628B2|2006-03-09|2012-05-16|セイコーインスツル株式会社|照明装置及びこれを備える表示装置|

KR100773993B1|2006-03-10|2007-11-08|케이디티|광여기 시트|

KR100728940B1|2006-03-10|2007-06-14|케이디티|광여기 시트|

KR100746749B1|2006-03-15|2007-08-09|케이디티|광 여기 시트|

US7731377B2|2006-03-21|2010-06-08|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Backlight device and display device|

JP2007273562A|2006-03-30|2007-10-18|Toshiba Corp|半導体発光装置|

US20070263408A1|2006-05-09|2007-11-15|Chua Janet Bee Y|Backlight module and method of making the module|

KR101340437B1|2006-09-25|2013-12-11|삼성디스플레이 주식회사|표시장치용 백커버, 이를 갖는 백라이트 어셈블리 및표시장치|

KR20080043541A|2006-11-14|2008-05-19|삼성에스디아이 주식회사|표시 장치|

WO2008069320A1|2006-12-08|2008-06-12|Mitsubishi Rayon Co., Ltd.,|レンズシート、面光源装置及び液晶表示装置|

KR20080063986A|2007-01-03|2008-07-08|삼성전기주식회사|파장변환용 확산시트 및 이를 이용한 백라이트 유닛|

KR100862532B1|2007-03-13|2008-10-09|삼성전기주식회사|발광 다이오드 패키지 제조방법|

US20100110728A1|2007-03-19|2010-05-06|Nanosys, Inc.|Light-emitting diode devices comprising nanocrystals|

CA2678798C|2007-03-19|2017-06-20|Nanosys, Inc.|Methods for encapsulating nanocrystals|

US20100155749A1|2007-03-19|2010-06-24|Nanosys, Inc.|Light-emitting diode devices comprising nanocrystals|

CN101688979B|2007-05-17|2011-02-09|Prysm公司|用于扫描光束显示系统的具有发光带的多层屏幕|

US7859175B2|2007-05-18|2010-12-28|Seiko Instruments Inc.|Illuminating device, display device and optical film|

JP4976196B2|2007-05-18|2012-07-18|セイコーインスツル株式会社|表示装置及び照明装置|

TW200848809A|2007-06-04|2008-12-16|Ching-Bin Lin|Light guide plate and backlight module capable of converting light source wavelength and enhancing light uniformity|

KR101730164B1|2007-07-18|2017-04-25|삼성전자주식회사|고체 조명에 유용한 양자점-기반 광 시트|

US8585273B2|2007-07-31|2013-11-19|Rambus Delaware Llc|Illumination assembly including wavelength converting material|

JP5019289B2|2007-08-10|2012-09-05|オリンパス株式会社|光ファイバ照明装置|

JP2010537364A|2007-08-16|2010-12-02|コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ|照明アセンブリ|

KR101361908B1|2007-08-29|2014-02-12|엘지디스플레이 주식회사|백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치|

US8459855B2|2008-07-28|2013-06-11|Munisamy Anandan|UV LED based color pixel backlight incorporating quantum dots for increasing color gamut of LCD|

DE102008012316A1|2007-09-28|2009-04-02|Osram Opto Semiconductors Gmbh|Halbleiterlichtquelle mit einer Primärstrahlungsquelle und einem Lumineszenzkonversionselement|

JP4613947B2|2007-12-07|2011-01-19|ソニー株式会社|照明装置、色変換素子及び表示装置|

JP5280106B2|2007-12-07|2013-09-04|デクセリアルズ株式会社|光源装置および表示装置|

TW200939534A|2008-03-14|2009-09-16|Forhouse Corp|LED light source module|

CN101960619B|2008-03-26|2013-06-26|松下电器产业株式会社|半导体发光装置|

JP5418762B2|2008-04-25|2014-02-19|ソニー株式会社|発光装置および表示装置|

US9022632B2|2008-07-03|2015-05-05|Samsung Electronics Co., Ltd.|LED package and a backlight unit unit comprising said LED package|

JP4633147B2|2008-07-22|2011-02-23|三菱電機株式会社|面光源装置|

JP2010061708A|2008-09-01|2010-03-18|Showa Denko Kk|磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置|

KR100982991B1|2008-09-03|2010-09-17|삼성엘이디 주식회사|양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치|

JP5440064B2|2008-10-21|2014-03-12|東芝ライテック株式会社|照明装置|

KR101577300B1|2008-10-28|2015-12-15|삼성디스플레이 주식회사|양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리|

WO2010071386A2|2008-12-19|2010-06-24|삼성엘이디 주식회사|발광소자 패키지, 백라이트 유닛, 디스플레이 장치 및 조명장치|

JP5717949B2|2009-01-26|2015-05-13|デクセリアルズ株式会社|光学部材および表示装置|

US7828453B2|2009-03-10|2010-11-09|Nepes Led Corporation|Light emitting device and lamp-cover structure containing luminescent material|

US7972023B2|2009-03-10|2011-07-05|Nepes Led Corporation|Lamp-cover structure containing luminescent material|

US20110044046A1|2009-04-21|2011-02-24|Abu-Ageel Nayef M|High brightness light source and illumination system using same|

KR101328783B1|2009-05-26|2013-11-13|엘지디스플레이 주식회사|액정표시장치|

KR101068866B1|2009-05-29|2011-09-30|삼성엘이디 주식회사|파장변환시트 및 이를 이용한 발광장치|

TW201044067A|2009-06-01|2010-12-16|Chi Mei Optoelectronics Corp|Backlight module and liquid crystal display|

JP5238618B2|2009-06-12|2013-07-17|スタンレー電気株式会社|半導体発光装置|

JP5255527B2|2009-07-03|2013-08-07|デクセリアルズ株式会社|色変換部材および表示装置|

US9048404B2|2009-07-06|2015-06-02|Zhuo Sun|Thin flat solid state light source module|

KR20110012246A|2009-07-30|2011-02-09|엘지이노텍 주식회사|백라이트 유닛|

KR101508284B1|2009-12-15|2015-04-06|엘지이노텍 주식회사|양자점을 이용한 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치|

US8545083B2|2009-12-22|2013-10-01|Sumita Optical Glass, Inc.|Light-emitting device, light source and method of manufacturing the same|

CN201803317U|2010-01-12|2011-04-20|金芃|Led背光模组的底部有凹槽的直下式导光板|

WO2011130715A2|2010-04-16|2011-10-20|Flex Lighting Ii, Llc|Illumination device comprising a film-based lightguide|

KR101636441B1|2010-04-23|2016-07-06|삼성전자주식회사|컬러 필터 및 이를 채용한 디스플레이 장치|

KR101701835B1|2010-06-29|2017-02-02|엘지전자 주식회사|이동 단말기|

CN101975371B|2010-09-09|2013-01-30|友达光电股份有限公司|下扩散片、背光模块及显示器|

KR102098682B1|2010-11-10|2020-05-22|나노시스, 인크.|양자 도트 필름들, 조명 디바이스들, 및 조명 방법들|

KR101272993B1|2010-12-21|2013-06-10|엘지이노텍 주식회사|표시장치 및 광 변환 부재의 제조방법|

TW201227092A|2010-12-31|2012-07-01|Ind Tech Res Inst|Mixing light module|

KR101210180B1|2011-04-21|2012-12-07|엘지이노텍 주식회사|광학 부재 및 이의 제조방법|

KR20130009020A|2011-07-14|2013-01-23|엘지이노텍 주식회사|광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법|

KR101273127B1|2011-07-14|2013-06-13|엘지이노텍 주식회사|광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법|

KR101262541B1|2011-07-18|2013-05-08|엘지이노텍 주식회사|표시장치|

KR101893494B1|2011-07-18|2018-08-30|엘지이노텍 주식회사|광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치|

KR101823684B1|2011-07-18|2018-01-30|엘지이노텍 주식회사|표시장치|

KR101294415B1|2011-07-20|2013-08-08|엘지이노텍 주식회사|광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치|

TW201321846A|2011-11-17|2013-06-01|Au Optronics Corp|具有彩色濾光陣列之畫素陣列基板及顯示面板|

KR20150145798A|2014-06-19|2015-12-31|삼성디스플레이 주식회사|백라이트 어셈블리 및 그를 포함하는 표시장치|US9803833B2|2013-12-03|2017-10-31|X Development Llc|Multi-aperture illumination layer for tileable display|

KR20150076883A|2013-12-27|2015-07-07|삼성디스플레이 주식회사|표시 장치|

JP6295237B2|2014-09-30|2018-03-14|富士フイルム株式会社|バックライトユニット、液晶表示装置および波長変換部材|

CN104566232B|2015-01-09|2017-10-27|张家港康得新光电材料有限公司|发光膜层结构、其制作方法及背光源|

JP2016167041A|2015-03-03|2016-09-15|大日本印刷株式会社|高演色液晶表示装置およびカラーフィルタ|

CN108279534A|2015-04-16|2018-07-13|青岛海信电器股份有限公司|一种侧入式显示模组及显示装置|

CN104728779B|2015-04-21|2018-01-12|张家港康得新光电材料有限公司|发光膜层结构及背光模组|

KR101746722B1|2016-01-20|2017-06-13|에스케이씨하스디스플레이필름|양자점 시트 및 색순도 향상 필름을 포함하는 액정표시장치|

KR102155405B1|2016-04-15|2020-09-14|주식회사 엘지화학|도광판 유닛, 이를 구비한 백라이트 유닛 및 액정표시장치|

KR20180042508A|2016-10-17|2018-04-26|삼성디스플레이 주식회사|색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치|

CN106501999A|2016-11-11|2017-03-15|张家港海纳至精新材料科技有限公司|光学膜组和背光模块|

KR20180076453A|2016-12-28|2018-07-06|엘지디스플레이 주식회사|광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 액정 표시 장치|

CN107479251A|2017-08-21|2017-12-15|深圳市华星光电技术有限公司|荧光粉薄膜及背光模组|

US10957825B2|2017-09-25|2021-03-23|Lg Innotek Co., Ltd.|Lighting module and lighting apparatus having thereof|

CN109681846B|2017-10-18|2021-01-05|深圳光峰科技股份有限公司|波长转换装置及其制备方法|

CN107701935A|2017-10-19|2018-02-16|常州工学院|一种led柔性导光装置|

CN109946778A|2017-12-21|2019-06-28|张家港康得新光电材料有限公司|光学膜片及具有其的环境光传感器|

CN108279460B|2018-01-03|2020-01-21|上海中航光电子有限公司|一种量子点导光板、背光模组及显示装置|

US20190219874A1|2018-01-16|2019-07-18|Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd.|Backlight module and display device|

CN110094647A|2018-01-29|2019-08-06|深圳市绎立锐光科技开发有限公司|一种波长转换装置、发光组件及照明装置|

CN108803141A|2018-06-21|2018-11-13|惠州市华星光电技术有限公司|量子点整合光学组件、背光模组和液晶显示器|

KR20200111872A|2019-03-19|2020-10-05|삼성디스플레이 주식회사|표시장치 및 이의 제조 방법|

法律状态:

优先权:

申请号 | 申请日 | 专利标题

KR1020110115394A|KR101251815B1|2011-11-07|2011-11-07|광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치|

??10-2011-0115394||2011-11-07||

[返回顶部]